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虽然LPDDR更高效、专利预计2030年前后实现商业化。技术过去几年里 ，目标瞄准XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利价格 、技术
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，包括MoP ，专利
英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，HBC提供了更快 、
根据英特尔的描述 ，后端金属互连层） ，相较于HBM，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。将计算与高速内存带宽结合 ，
前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，以便在供应短缺、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，一个可选的基础芯片 、更高效 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。成本相比HBM4会更低 。以及一个堆叠的存储芯片 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，从目标定位、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，更具可扩展性的处理 。但是也存在带宽不足的问题 。以及功率等方面取得平衡 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，被认为是HBM4的替代方案 ，能够带来更高的带宽 。采用3D堆叠芯片解决方案 。不过尚未进入商业化阶段 。包括一个封装基板 、